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「T」の計測器用語一覧

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TMA

熱機械分析。試料の温度を一定のプログラムに従って変化させながら、圧縮、引張り、曲げ、ねじりなどの非振動的荷重を加えて、その物質の変形を温度の関数として測定する方法。物質の膨張率測定、ガラス転移点、軟化温度、などを簡便に測定できる。

TOC

全有機炭素。水中に含まれる有機物に含まれる炭素量。水質汚濁や上水道、用水の品質を管理する指標。

TG

試料の温度を一定のプログラムによって変化または保持させながら、試料の重量を温度または時間の関数として測定する方法。=熱重量測定。

TG-DTA

熱重量測定と示差熱分析を同時に測定する方法。水分量の分析、分解、酸化の評価などに用いられる。=示差熱熱重量同時測定。

TTL レベル

論理回路用IC を演算させる場合出力をLOW にする信号電圧は0 ~ 0.8V HIGH にする電圧は3 ~ 5V に設定されている信号電圧をいう。

TEM

透過型電子顕微鏡。観察対象に電子線をあて、それを透過してきた電子が作り出す干渉線を拡大して観察する電子顕微鏡。

TSV

【through silicon via】 シリコン貫通電極 3次元LSI実装技術,積層技術 ワイヤボンディングの配線スペースを無くし、より短い配線で有線接続する方法として注目されている。

TOF-SIMS

【Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry】飛行時間型二次イオン質量分析法。超高真空下で試料に一次イオンを照射すると、資料の極表面(1~3nm)から二次イオンが放出される。二次イオンを飛行時間型(TOF型)質量分析計へ導入することで、試料最表面の質量スペクトルが得られる。この際に一次イオン照射量を低く抑えることにより、表面成分を化学構造を保った分子イオンや部分的に開裂したフラグメントイオンとして検出することができ、最表面の元素組成や化学構造の情報が得られる。

TMR

[Tunnel Magneto Resistance]トンネル磁気抵抗効果:「絶縁体薄膜」を「2枚の強磁性体」で挟んだ素子は「TMR素子」と呼ばれます。(強磁性トンネル接合)TMR素子は量子トンネル効果によって電子が薄い絶縁体を透過 (トンネル) し、電流が流れます。  強磁性トンネル接合では、「アップスピン」と「ダウンスピン」で電子が絶縁体を透過する(トンネルする)率が異なることにより、2枚の強磁性体の磁化の向きが平行のとき(スピン平行)電流が流れやすく、反平行のときに流れにくくなる(スピン反平行)性質が現れます

TMR

[Tunnel magnetoresistance effect]トンネル磁気抵抗効果。TMR角度センサ:外部磁場(磁界)方向の変化に応じて素子の電気抵抗が変化することを利用し、車載用電動パワーステアリングモーターの角度センサや回転センサとして車輪速度センサとしても利用可能。

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