Hashtag List #IGBT の検索結果
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パワー半導体の開発評価から量産前信頼性試験まで対応
本製品は、高温・高湿・高電圧によるストレス条件下でパワー半導体の絶縁膜経時破壊を評価できます。 高精度な計測と故障時のデバイスへのダメージを最小限に抑える機能により、デバイス開発・信頼性評価における故障解析を支援します。 SiC-MOSFETやIGBTなどのパワー半導体に対し、最大3000Vの高電圧を印加しながら、リーク電流の測定ができます。エスペック株式会社 ｜最終更新日：2026/04/16
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熱設計課題を可視化する新しい評価アプローチ
近年、パワーデバイスはさまざまな分野で欠かせない存在となっていますが、設計の早期段階から適切な熱対策と信頼性評価が不可欠となっています。 本装置はパワーサイクル試験装置に過渡熱抵抗測定機能を追加し、デバイスの放熱特性の評価を可能としました。熱抵抗を正確に測定することで熱設計上の課題を把握でき、デバイスの長期信頼性に向けた改善につなげることができます。エスペック株式会社 ｜最終更新日：2026/04/16
