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  エスペック株式会社 ｜最終更新日：2026/04/16NEW

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  高温逆バイアス試験装置 (POWER-DC)

  パワー半導体の開発評価から量産前信頼性試験まで対応
  
  本製品は、高温・高湿・高電圧によるストレス条件下でパワー半導体の絶縁膜経時破壊を評価できます。 高精度な計測と故障時のデバイスへのダメージを最小限に抑える機能により、デバイス開発・信頼性評価における故障解析を支援します。 SiC-MOSFETやIGBTなどのパワー半導体に対し、最大3000Vの高電圧を印加しながら、リーク電流の測定ができます。

  # パワー半導体 # SiC # パワーデバイス # IGBT # 高温逆バイアス # 信頼性評価 # 高温ゲートバイアス # エスペック # 高温高湿逆バイアス # ESPEC

  エスペック株式会社 ｜最終更新日：2026/04/16