ICR HV100-6 set　製品概要

近磁界マイクロプローブは、近接場磁場の高分解能測定用に設計されています。ICR H プローブを使用すると、次の測定を実行できます。

• IEC 61967-3 に準拠した IC による表面スキャン
• IC経由のボリュームスキャン
• ピンスキャン

ICR RF プローブ ヘッドの測定コイルは、測定面に対して垂直に配置されています。
プリアンプはプローブ ハウジングに組み込まれており、Bias-Tee から電源が供給されます。
ICR 近接場プローブは、出荷前に品質チェックを受けます。異なる基準セットアップ測定が実行され、結果として補正線が生成されます。標準化された補正線、H フィールド補正線、電流補正線の 3 つの異なる補正線が決定されます。

注意: ICR プローブはその構造上、衝撃に弱く、輸送および取り扱い用の保護キャップが付属しています。

納入品目

• 1xICR HV100-6、近接場マイクロプローブ 2.5 MHz ～ 6 GHz
• 1xBT 706、Langer社 プローブ用バイアスティー
• 1xSMA-SMA RA、ケーブル SMA-SMA、直角
• 1xICR-C、ICR証明書
• 1xICR Corr、補正曲線 ICR / USB
• 1xNT FRI EU、電源ユニット
• 1xICRケース1、システムケース
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基準物体による測定

近磁界マイクロプローブは、その設計と高度な小型化により、タイプ シリーズ内で透過動作に違いが見られるため、基準物体での測定が必要です。この目的のために、マイクロプローブはストリップライン上で測定されます。このようにして、伝送挙動は、以前に定義された値で決定することができます。お客様は、注文された各マイクロプローブの証明書と、対応する近接場マイクロプローブの特定の特性を受け取ります。

ICR HV100-6について

プローブヘッドは電界カップリングに対してシールドされています。プリアンプは、BT 706 バイアス ティーによって電力を供給されるプローブ ハウジングに組み込まれています。ハウジングの調整ネジにより、プローブ チップをプローブ ハウジングに手動で位置合わせできます。
このプローブは、Langer スキャナの衝突保護機能をサポートしており、被試験デバイスに触れると、垂直方向の移動中に動きを停止します。
ハウジングは、市販のテスターに​​も取り付けることができます。

注意！チップはその構造上、衝撃に非常に敏感です。そのため、自動位置決めシステムを使用してプローブを配置することをお勧めします。

 

技術パラメータ

 

 

BT706について

製品概要

バイアス ティーは、Langer EMV-Technik GmbH のアクティブ近接場プローブの電源に使用されます。 MFA または ICR。 バイアス ティーは、アクティブ近接場プローブとスペクトラム アナライザまたはオシロスコープの間の信号経路に挿入され、プラグイン電源から給電されます。

技術パラメータ

★ICR HV100-6セット（2.5MHz～6GHz）以外にも、1.5MHz～6GHz, 500KHz～2GHz, 2MHz～6GHz, 200KHz～1GHzのセットもございます。ぜひお問い合わせください。

ICR HV プローブと垂直測定コイルの比較

ICR HVxxx-27/-75 という名前のプローブは、低周波数範囲でのゲインが高いという特徴があります。(下部のHH近接場マイクロプローブの周波数応答を参照してください。)